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IDW20G65C5 - SiC-Schottkydiode, 650V, 20A, TO247
5. Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode Die 5. Generation ThinQ!TM repräsentiert die Spitzentechnologie von Infineon für die SiC Schottky Barrieredioden. Das bereits mit G3 eingeführte Infineon-eigene Diffusionslötverfahren wird nun mit einem neuen, kompakteren Design und einer Dünnwafer-Technologie kombiniert. Das Ergebnis ist eine neue Produktfamilie mit verbessertem Wirkungsgrad über alle Lastbedingungen, die sowohl auf die verbesserten thermischen Eigenschaften als auch auf einen niedrigeren Leistungswert (Qc x Vf) zurückzuführen ist. Die neue thinQ!TM Generation 5 wurde als Ergänzung zur 650V CoolMOSTM Familien entwickelt: Dies gewährleistet die Erfüllung höchster Anwendungsanforderungen in diesem Spannungsbereich. Merkmale • revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid • hervorragendens Schaltverhalten • keine Rückwärtswiederherstellung / keine Vorwärtswiederherstellung • positiver Temperaturkoeffizient • hohe Stoßstromfestigkeit • bleifreie Verbleiung; RoHS-konform • qualifiziert nach JEDEC • Durchschlagsspannung geprüft bei 11 mA2) • optimiert für den Hochtemperaturbetrieb Vorteile • verbesserung der Systemeffizienz gegenüber Si-Dioden • Systemkosten-/Größeneinsparungen durch reduzierten Kühlbedarf • ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / erhöhter Leistungsdichte • höhere Systemzuverlässigkeit durch niedrigere Betriebstemperaturen • reduzierte EMI Anwendungen • Schaltnetzteile • Leistungsfaktorkorrektur • Solarwechselrichter • unterbrechungsfreie Stromversorgung
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STPSC806D - SiC-Schottkydiode, 600V, 8A, TO220ACDie SiC-Diode ist eine ultrahochleistungsfähige Schottky-Diode. Es wird aus einem Siliziumkarbid-Substrat hergestellt. Das Wide-Band-Gap-Material ermöglicht eine Nennspannung von 600 V. Aufgrund der Schottky-Konstruktion zeigt sich keine Erholung am Abzweig. Das minimale kapazitive Abschaltverhalten ist temperaturunabhängig. ST-SiC-Dioden werden die Leistung der PFC Betrieb unter harten Schaltbedingungen erhöhen. Merkmale • keine oder vernachlässigbare Reverse-Recovery • Schaltverhalten unabhängig von der Temperatur • geeignet für PFC-Korrektur2,10 €*Versand: 5,95 €Sichere Weiterleitung zum Anbieter
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Kognitive Aktivierung im UnterrichtKognitive Aktivierung im Unterricht , Befunde der Bildungsforschung und fachspezifische Zugänge , Zündschlösser > Elektro- & Zündungssensoren & -schalter , Erscheinungsjahr: 201910, Produktform: Kartoniert, Titel der Reihe: Kognitive Aktivierung im Unterricht / Befunde der Bildungsforschung und fachspezifische Zugänge##, Redaktion: Gawatz, Andreas~Stürmer, Kathleen, Seitenzahl/Blattzahl: 163, Keyword: Fachunabhängig; Freie Unterrichtsmaterialien; unabhängige Lehrermaterialien, Fachschema: Interdisziplinärer Unterricht / Lehrermaterial, Themenvorschläge, Bildungsmedien Fächer: Didaktik und Methodik, Region: Berlin~Brandenburg~Mecklenburg-Vorpommern~Sachsen-Anhalt~Sachsen~Thüringen~Bayern~Baden-Württemberg~Hessen~Rheinland-Pfalz~Saarland~Bremen~Hamburg~Niedersachsen~Nordrhein-Westfalen~Schleswig-Holstein, Bildungszweck: Für die Gemeinschaftsschule~Für die Stadtteilschule~Für das Gymnasium~Für die Integrierte Gesamtschule~5.Lernjahr~6.Lernjahr~7.Lernjahr~8.Lernjahr~9.Lernjahr~10.Lernjahr~11.Lernjahr~12.Lernjahr~13.Lernjahr, Altersempfehlung / Lesealter: 23, Genaues Alter: GYM, Warengruppe: HC/Schulbücher/Unterrichtsmat./Lehrer, Fachkategorie: Schule und Lernen, Thema: Verstehen, Schulform: GYM, Text Sprache: ger, UNSPSC: 49019900, Warenverzeichnis für die Außenhandelsstatistik: 49019900, Verlag: Westermann Schulbuch, Verlag: Westermann Schulbuch, Verlag: Westermann Schulbuchverlag, Länge: 233, Breite: 169, Höhe: 10, Gewicht: 278, Produktform: Kartoniert, Genre: Schule und Lernen, Genre: Schule und Lernen, Herkunftsland: DEUTSCHLAND (DE), Katalog: deutschsprachige Titel, Katalog: Gesamtkatalog, Katalog: Lagerartikel, Book on Demand, ausgew. Medienartikel, Relevanz: 0004, Tendenz: 0, Schulform: Gymnasium, Unterkatalog: AK, Unterkatalog: Bücher, Unterkatalog: Hardcover, Unterkatalog: Lagerartikel, Unterkatalog: Schulbuch,31,00 €*Versand: 0,00 €Sichere Weiterleitung zum Anbieter
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CSD01060A - SiC-Schottkydiode, 600V, 2A, TO220ACMerkmale • 600-Volt Schottky-Gleichrichter • Null-Rückwärts-Rückgewinnungsstrom • Null-Wiederherstellungsspannung • Hochfrequenzbetrieb • positiver Temperaturkoeffizient • extrem schnelles Umschalten • positiver Temperaturkoeffizient auf VF Vorteile • ersetzen Sie bipolare durch unipolare Gleichrichter • minimale Schaltverluste • höhere Effizienz • Reduzierung des Gleichrichterkühlkörpers • parallele Geräte ohne thermische Ausreißer Anwendungen • Schaltnetzteilee • Leistungsfaktorkorrektur: Typische PFC Pout : 100W-200W • Motorantriebe: Typische Leistung: 0,25HP-0,5HP0,99 €*Versand: 5,95 €Sichere Weiterleitung zum Anbieter
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C4D02120A - SiC-Schottkydiode, 1200V, 5A, TO220ACMerkmale • 1,2kV Schottky Gleichrichter • Null-Rückwärts-Rückgewinnungsstrom • Hochfrequenzbetrieb • temperaturunabhängiges Schalten • extrem schnelles Umschalten • positiver Temperaturkoeffizient auf VF Vorteile • ersetzen Sie bipolare durch unipolare Gleichrichter • minimale Schaltverluste • höhere Effizienz • Reduzierung des Kühlkörperbedarfs • parallele Geräte ohne thermische Ausreißer Anwendungen • Schaltnetzteilee (SMPS) • Boost-Dioden in PFC- oder DC/DC-Stufen • Freilaufdioden in Wechselrichterstufen • AC/DC-Wandler1,85 €*Versand: 5,95 €Sichere Weiterleitung zum Anbieter
IDW12G65C5 - SiC-Schottkydiode, 650V, 12A, TO247
5. Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode Die 5. Generation ThinQ!TM repräsentiert die Spitzentechnologie von Infineon für die SiC Schottky Barrieredioden. Das bereits mit G3 eingeführte Infineon-eigene Diffusionslötverfahren wird nun mit einem neuen, kompakteren Design und einer Dünnwafer-Technologie kombiniert. Das Ergebnis ist eine neue Produktfamilie mit verbessertem Wirkungsgrad über alle Lastbedingungen, die sowohl auf die verbesserten thermischen Eigenschaften als auch auf einen niedrigeren Leistungswert (Qc x Vf) zurückzuführen ist. Die neue thinQ!TM Generation 5 wurde als Ergänzung zur 650V CoolMOSTM Familien entwickelt: Dies gewährleistet die Erfüllung höchster Anwendungsanforderungen in diesem Spannungsbereich. Merkmale • revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid • hervorragendens Schaltverhalten • keine Rückwärtswiederherstellung / keine Vorwärtswiederherstellung • positiver Temperaturkoeffizient • hohe Stoßstromfestigkeit • bleifreie Verbleiung; RoHS-konform • qualifiziert nach JEDEC • Durchschlagsspannung geprüft bei 11 mA2) • optimiert für den Hochtemperaturbetrieb Vorteile • verbesserung der Systemeffizienz gegenüber Si-Dioden • Systemkosten-/Größeneinsparungen durch reduzierten Kühlbedarf • ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / erhöhter Leistungsdichte • höhere Systemzuverlässigkeit durch niedrigere Betriebstemperaturen • reduzierte EMI Anwendungen • Schaltnetzteile • Leistungsfaktorkorrektur • Solarwechselrichter • unterbrechungsfreie Stromversorgung
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IDW20G65C5 - SiC-Schottkydiode, 650V, 20A, TO2475. Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode Die 5. Generation ThinQ!TM repräsentiert die Spitzentechnologie von Infineon für die SiC Schottky Barrieredioden. Das bereits mit G3 eingeführte Infineon-eigene Diffusionslötverfahren wird nun mit einem neuen, kompakteren Design und einer Dünnwafer-Technologie kombiniert. Das Ergebnis ist eine neue Produktfamilie mit verbessertem Wirkungsgrad über alle Lastbedingungen, die sowohl auf die verbesserten thermischen Eigenschaften als auch auf einen niedrigeren Leistungswert (Qc x Vf) zurückzuführen ist. Die neue thinQ!TM Generation 5 wurde als Ergänzung zur 650V CoolMOSTM Familien entwickelt: Dies gewährleistet die Erfüllung höchster Anwendungsanforderungen in diesem Spannungsbereich. Merkmale • revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid • hervorragendens Schaltverhalten • keine Rückwärtswiederherstellung / keine Vorwärtswiederherstellung • positiver Temperaturkoeffizient • hohe Stoßstromfestigkeit • bleifreie Verbleiung; RoHS-konform • qualifiziert nach JEDEC • Durchschlagsspannung geprüft bei 11 mA2) • optimiert für den Hochtemperaturbetrieb Vorteile • verbesserung der Systemeffizienz gegenüber Si-Dioden • Systemkosten-/Größeneinsparungen durch reduzierten Kühlbedarf • ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / erhöhter Leistungsdichte • höhere Systemzuverlässigkeit durch niedrigere Betriebstemperaturen • reduzierte EMI Anwendungen • Schaltnetzteile • Leistungsfaktorkorrektur • Solarwechselrichter • unterbrechungsfreie Stromversorgung6,72 €*Versand: 5,95 €Sichere Weiterleitung zum Anbieter
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STPSC806D - SiC-Schottkydiode, 600V, 8A, TO220ACDie SiC-Diode ist eine ultrahochleistungsfähige Schottky-Diode. Es wird aus einem Siliziumkarbid-Substrat hergestellt. Das Wide-Band-Gap-Material ermöglicht eine Nennspannung von 600 V. Aufgrund der Schottky-Konstruktion zeigt sich keine Erholung am Abzweig. Das minimale kapazitive Abschaltverhalten ist temperaturunabhängig. ST-SiC-Dioden werden die Leistung der PFC Betrieb unter harten Schaltbedingungen erhöhen. Merkmale • keine oder vernachlässigbare Reverse-Recovery • Schaltverhalten unabhängig von der Temperatur • geeignet für PFC-Korrektur2,10 €*Versand: 5,95 €Sichere Weiterleitung zum Anbieter
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C4D02120A - SiC-Schottkydiode, 1200V, 5A, TO220ACMerkmale • 1,2kV Schottky Gleichrichter • Null-Rückwärts-Rückgewinnungsstrom • Hochfrequenzbetrieb • temperaturunabhängiges Schalten • extrem schnelles Umschalten • positiver Temperaturkoeffizient auf VF Vorteile • ersetzen Sie bipolare durch unipolare Gleichrichter • minimale Schaltverluste • höhere Effizienz • Reduzierung des Kühlkörperbedarfs • parallele Geräte ohne thermische Ausreißer Anwendungen • Schaltnetzteilee (SMPS) • Boost-Dioden in PFC- oder DC/DC-Stufen • Freilaufdioden in Wechselrichterstufen • AC/DC-Wandler1,85 €*Versand: 5,95 €Sichere Weiterleitung zum Anbieter
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IDW12G65C5 - SiC-Schottkydiode, 650V, 12A, TO2475. Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode Die 5. Generation ThinQ!TM repräsentiert die Spitzentechnologie von Infineon für die SiC Schottky Barrieredioden. Das bereits mit G3 eingeführte Infineon-eigene Diffusionslötverfahren wird nun mit einem neuen, kompakteren Design und einer Dünnwafer-Technologie kombiniert. Das Ergebnis ist eine neue Produktfamilie mit verbessertem Wirkungsgrad über alle Lastbedingungen, die sowohl auf die verbesserten thermischen Eigenschaften als auch auf einen niedrigeren Leistungswert (Qc x Vf) zurückzuführen ist. Die neue thinQ!TM Generation 5 wurde als Ergänzung zur 650V CoolMOSTM Familien entwickelt: Dies gewährleistet die Erfüllung höchster Anwendungsanforderungen in diesem Spannungsbereich. Merkmale • revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid • hervorragendens Schaltverhalten • keine Rückwärtswiederherstellung / keine Vorwärtswiederherstellung • positiver Temperaturkoeffizient • hohe Stoßstromfestigkeit • bleifreie Verbleiung; RoHS-konform • qualifiziert nach JEDEC • Durchschlagsspannung geprüft bei 11 mA2) • optimiert für den Hochtemperaturbetrieb Vorteile • verbesserung der Systemeffizienz gegenüber Si-Dioden • Systemkosten-/Größeneinsparungen durch reduzierten Kühlbedarf • ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / erhöhter Leistungsdichte • höhere Systemzuverlässigkeit durch niedrigere Betriebstemperaturen • reduzierte EMI Anwendungen • Schaltnetzteile • Leistungsfaktorkorrektur • Solarwechselrichter • unterbrechungsfreie Stromversorgung4,17 €*Versand: 5,95 €Sichere Weiterleitung zum Anbieter
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